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更新时间:2019-08-27 13:02

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在三星晶圆代工技术论坛上,三星表示其3nm Gate-All-Around技术正在开发中,3nm GAE PDK版本0.1已于4月发布,旨在帮忙客户尽早开始设计工作,提高设计竞争力,同时缩短周转时间。GAA技术能重新塑造芯片核心晶体管,使其更小更快。2021年采用GAA技术的芯片问世时,将成为三星与英特尔和台积电竞争的利器。与7nm技术相比,三星3GAE工艺可在将芯片面积降低45%,功耗降低50%,性能提高35%。基于GAA的工艺技术有望在下一代应用中广泛采用,比如移动,网络,汽车,人工智能和物联网。三星的进步将延长摩尔定律的适合期,至少在未来几年内,消费者可期望出现更好的绘图处理技术、更智能的人工智能和其它运算方面的改进。
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